《科创板日报》30日讯，据报道援引消息人士称，三星电子将从ASML引进首台High-NA EUV光刻机EXE:5000，预计2025年初到货。半导体设备安装通常需要较长测试时间，该光刻机预计最快2025年中旬开始运行。High-NA EUV为2纳米以下先进制程所需设备，韩国业界预期，三星也将正式启动1纳米芯片的商用化进程。 (ET News)
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《科创板日报》30日讯，据报道援引消息人士称，三星电子将从ASML引进首台High-NA EUV光刻机EXE:5000，预计2025年初到货。半导体设备安装通常需要较长测试时间，该光刻机预计最快2025年中旬开始运行。High-NA EUV为2纳米以下先进制程所需设备，韩国业界预期，三星也将正式启动1纳米芯片的商用化进程。 (ET News)
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